Окончила Новосибирский электротехнический институт (1979), аспирантуру ИФП СО РАН (1985). Защитила докторскую диссертацию на тему "Локализованные состояния в гетеросистемах на основе кремния, сформированные в деформационных полях" (2009).
Ученая степень/звание
д-р физ.-мат. наук
Контакты
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур ; 630090, г. Новосибирск, ул. Академика Ржанова, 2 ; e-mail: antonova@isp.nsc.ru ; https://www.isp.nsc.ru/